本文所涉及的内容仅仅是针对内存超频过程中的参数解释，方便诸位在进行内存超频时， 能对内存参数数值调整有更加清晰的判断。

① Memory Profiles（内存参数设置）：

设置内存时序。设定值有：

Default Profile（自动）、Custom Profile（自定 义）、XMP Profile1。XMP 全名为 Extreme Memory Profile，它是英特尔提出的一种内存超频模 式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的 SPD 模块中。BIOS 启 动 XMP 就是直接从 SPD 中读取超频设置参数设置内存频率。选择“Manual” ，可对内 存频率进行超频设置。

② CAS Latency Time（tCL）：

此项控制了 C A S 延迟，它决定了在 SDRAM 在接收指令后开始读取的延 迟时间（在时间 周期中）。

③ RAS/ CAS Delay（tRCD）:

此项目用于选择从 RAS (Row Address Strobe) 到 CAS (Column Address Strobe)在相 同的 bank 读写数据时所延迟的时间。设定的周期越短，DRAM 运行越快。 ④ ROW Precharge Time（tRP）： 这个项目用来控制当 SDRAM 送出 Precharge 命令后，多少时间内不得再 送出命令。建 议您使用缺省值以保持系统的稳定。设置值有：[2Clocks] [3 Clocks] [4 Clocks] [5 Clocks] [6 Clocks]。

⑤ Min Active RAS（tRAS）（SDRAM 内存预充电延迟） ：

此项控制SDRAM内存时钟周期数的RAS最小值。

⑥ Read to Precharge（tRTP）：

选择预充电时间。

⑦ Row Cycle（tRC）：

TRC 表示“SDRAM 行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整 个过程所需要 的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row activetime(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的 tRAS 值和 tRP 值是多少。如果 tRC 的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新 的地址而 等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激 活的行单元被充分充电之 前，新的周期就可以被初始化。

⑧ Write Recover Time（TWR）：

选择 DRAM 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间，即最后一笔写 入数据之后的预充电时间。

⑨ RAS/RAS Delay（TRRD） ：

TRRD 表示”行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的 bank 中的同一 个行单元两次 发送激活指令（即：REF 指令）之间的时间间隔。tRRD 值越 小越好。延迟越低，表示下 一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟 会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 TRRD 值设定为 2 个时钟周期，这是最佳 的设置，此时的数据膨胀可以忽视。

⑩ Write to Read Delay（tWTR）：

TWTR 表示“读到写延时”。它设定向 DDR 内存模块中的同一个单元中， 在最后一次有 效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。